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日本経済新聞に総合研究所 丸泉琢也教授らの研究等が掲載されました
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(過去のNews)

総合研究所 カーボン材料解析研究室 吉田 明教授らが炭素材料学会論文賞を受賞
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総合研究所シリコンナノ科学研究センター 徐研究員がAPEX誌に発表の論文が注目論文に選ばれました
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都市の安全・安心研究室の三木千壽教授が公益社団法人土木学会より出版文化賞を受賞
著作 『橋梁の疲労と破壊 −事例から学ぶ−』
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シリコンナノ科学研究センター、ゲルマニウム量子ドットをベースとした
室温発振レーザーを可能とする極めて高効率に発光する電流注入型の発光デバイスの開発に成功

2012年4月25日 渋谷サテライトクラスで記者発表が行われた
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本学三木千壽副学長・総合研究所特任教授がタイ王国のタマサート大学から名誉博士号を授与されました
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本学大学院工学研究科電気電子工学専攻・西田圭佑さんが応用物理学会講演奨励賞を受賞しました
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東京都市大学澤野憲太郎准教授らの半導体デバイスに関する研究が、新聞各紙に掲載されました
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副学長・総合研究所の三木千壽教授がドイツのErnst Gassner Award 2013を受賞されました
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水素ハイブリッドトラックの開発に成功、プレス発表会を開催しました
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白木特任教授、華中科技大学顧問教授の称号を授与されました
総合研究所 白木特任教授、2010年11月11日 華中科技大学から顧問教授の称号を授与されました。
→華中科技大学顧問教授の称号証書写し

夏 助手、JJAP論文奨励賞を受賞
夏 助手は2010年9月、“Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots” というタイトルの論文で、応用物理学会よりJJAP論文奨励賞を受賞した。

シリコンナノ科学研究センター、シリコンレーザー実現に飛躍的な前進をもたらす発光デバイスの開発に成功
シリコンナノ科学研究センターは、シリコンをベースとした室温発振レーザーを可能とする、極めて高効率に発光する電流注入型の発光デバイスの開発に成功した。これに伴い、2010年5月24日、本学総合研究所において、記者発表が行われた。
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白木 副学長、応用物理学会 会長に就任
白木 副学長は2010年3月、応用物理学会 会長に就任した。

白木 副学長、1st International Workshop on Si based nano-electronics and ?photonics (SiNEP-09) において招待講演
白木 副学長は2009年9月22日、スペインはVigoで開催された表記国際会議において、「Material aspects and characterization of Si/Ge hetero-structures on nano-scale for electronic and optical device applications」と題して招待講演を行った。

夏 助手、2nd Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2009) において招待講演
夏 助手は2009年8月10日、中国はWuhanにて開催された表記国際会議において、「Current-injected Si microdisk with Ge self-assembled quantum dots」と題して招待講演を行った。

澤野 講師、JJAP論文奨励賞を受賞
澤野 講師は、2009年9月、“Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation” というタイトルの論文で、応用物理学会よりJJAP論文奨励賞を受賞した。

文部科学省「平成21年度私立大学戦略的研究基盤形成支援事業」に本学の研究プログラムが採択されました。
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澤野 講師、2009 MRS (Materials Research Society) Spring Meetingにて招待講演
澤野 講師は、2009年4月16日、サンフランシスコにて開催された表記国際会議において、“CMP for high mobility strained Si/Ge Channels” と題して招待講演を行った。

水素燃料エンジンバスの公道走行を実現、プレス発表会&試乗会を開催しました
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白木 副学長、文科省 科学研究費補助金 に採択
白木 副学長(代表)は文部科学省 科学研究費補助金 基盤研究(A)に「革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発」という研究テーマで採択された。

澤野 講師、研究助成に採択 澤野 講師は、財団法人 池谷科学技術振興財団の平成21年度研究助成に「Si/Geへテロ構造の結晶歪み制御と高速デバイス応用」という研究テーマで採択された。

澤野 講師、16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP 2008) にて招待講演 澤野 講師は、2008年9月29日、ラスベガスにて開催された表記国際会議において、「Strained Si/Ge Heterostructures: SiGe Virtual Substrate and Strained Ge Channel」と題して招待講演を行った。

澤野 講師、研究助成に採択 澤野 講師は、第24回(平成20年度)財団法人 村田学術振興財団 の研究助成に「選択的イオン注入法による一軸性歪みGeチャネル構造の開発」という研究テーマで採択された。

近藤教授「第141回産学交流サロン」において講演
健康医科学研究室の近藤教授(人間科学部児童学科)は2009年5月22日に開催された「第141回産学交流サロン」(主催:財団法人横浜企業経営支援財団(IDEC)、社団法人横浜市工業会連合会)において、「生命エネルギー源ポルフィリン関連物質の健康応用」と題して講演を行った。
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白木所長、応用物理学会副会長に就任
白木所長は3月19日、応用物理学会副会長に就任した。

白木所長、「ナノエレクトロニクスに関する日独ワークショップ」を主催
白木所長は2008年3月4-8日、ドイツの Aachen で開催された JST-DFG 共催の「ナノエレクトロニクスに関する日独ワークショップ」に、日本側企画責任者として参加し、会議を主催した。

白木所長、「固体物理の新展開に関する第15回国際ウインタースクール」において招待講演
白木所長は2008年2月18-22日、オーストリアのBad Hofgasteinで開催された「固体物理の新展開に関する第15回国際ウインタースクール」において、「シリコンゲルマニウムへテロ構造とフォトニクスへの応用(SiGe Hetero-structures and their Applications to Photonics)」と題して、招待講演を行った。

野平 准教授 「The 212th Meeting of the Electrochemical Society」にて招待講演
工学部 野平 博司 准教授は、2007年10月にワシントンDCにて開催された表記国際会議におけるシンポジウム「ULSI Process Integration 5」において、「Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics」と題して招待講演を行った。

澤野 助手 「The 212th Meeting of the Electrochemical Society」にて招待講演
総合研究所 澤野 憲太郎 助手は、2007年10月にワシントンDCにて開催された表記国際会議におけるシンポジウム「ULSI Process Integration 5」において、「Fabrication of SiGe Virtual Substrates by Ion Implantation Technique」と題して招待講演を行った。

丸泉 教授 「2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会」にて招待講演
工学部 丸泉 琢也 教授は、2007年9月に北海道札幌市(北海道工業大学)にて開催された表記国内会議におけるシンポジウム「先端LSIに与える放射線の影響“ソフトエラーとハードエラー”」において、「MOSデバイスのハードエラーとその微視的描像」と題して招待講演を行った。

白木 所長「2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices」にて招待講演
  総合研究所 白木 靖寛 所長は、2007年6月に韓国は慶州にて開催された表記国際ワークショップにおいて、「Silicon Photonic Devices with Ge Quantum Dots as Light Source」と題して招待講演を行った。

丸泉 教授 「The 211th Meeting of the Electrochemical Society」にて招待講演
工学部 丸泉 琢也 教授は、2007年5月にシカゴにて開催された表記国際会議におけるシンポジウム「Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films and Emerging Dielectrics 9」において、「Transfer of a Positive Fixed Charge between Si and SiO2 in a Si/SiO2 Interface with Hydrogen Migration」と題して招待講演を行った。

夏 研究員 「第5回シリコンエピタキシーとヘテロ構造に関する国際会議」にて招待講演
総合研究所 夏 金松 研究員は、2007年5月にフランスはマルセイユにて開催された、表記国際会議 (5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSi-5)にて、「Room-temperature light emission from Ge dots in photonic crystals」と題して招待講演を行った

野平 博司 准教授「47th IUVSTA Workshop on Angle-Resolved XPS」にて招待講演
総合研究所 野平博司准教授は、2007年3月にメキシコにて開催された標記国際会議において「Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators」と題して招待講演を行った

夏 金松 研究員「文部科学省科学研究費補助金」に採択
総合研究所 夏 金松 研究員は「Ge自己形成量子ドットを有するフォトニック結晶微小共振器を用いたSi系発光構造」に関する研究で採択された。

澤野 憲太郎 助手「文部科学省科学研究費補助金」に採択
総合研究所 澤野 憲太郎 助手は「シリコンゲルマニウム系ヘテロ構造における選択的歪み制御技術開発」に関する研究で採択された。

星 裕介 修士大学院生「財団法人 丸文研究交流財団 国際交流助成」に採択
星 祐介 修士2年大学院生は「Investigations of strain states and improvements of thermal stability in strained-Si-on-Insulator (sSOI) structures」に関する研究で採択された。

澤野 憲太郎 助手は「財団法人 日本板硝子材料工学助成会 平成19年度(第29回)研究助成」に採択
総合研究所 澤野 憲太郎 助手は「高移動度歪みGeチャネルデバイスの開発と電気伝導特性」に関する研究で採択された。

将来の半導体光配線技術の要となるシリコンレーザの道を拓く高効率発光デバイスの開発に成功
シリコンナノ科学研究センターでは、将来の半導体光配線技術の要となるシリコンレーザの道を拓く高効率発光デバイスの開発に成功しました。
この研究成果を内外に広く発信するため、平成18年8月25日、総合研究所において関係各社を招きプレスリリースを行いました。研究成果は、科学新聞(9月8日)、産経新聞(9月4日)、日刊工業新聞(8月29日)、化学工業日報(8月29日)、日経産業新聞(8月28日)の各新聞で大きく取り上げられ、報道されました。
プレスリリースで使用したリリース原稿と説明図面は以下の通りです。
 ・リリース原稿(PDF)   ・説明図面(PDF)

白木 所長「新IV族半導体ナノエレクトロニクスに関する国際ワークショップ」にて招待講演
総合研究所 白木靖寛 所長は、2006年10月に東北大学にて開催された表記国際ワークショップ(Second International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics)において、「Formation of high quality SiGe buffers on Si and transport properties of structures grown on them」と題して招待講演を行った。

服部健雄 客員教授「硬X線光電子分光に関する国際ワークショップ(HAXPES2006)」にて招待講演
総合研究所 服部健雄 客員教授(本学名誉教授)は、2006年9月に兵庫県はSPring-8にて開催された、表記国際ワークショップ(The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy(HAXPES2006))において、「Hard X-ray photoelectron spectroscopy study on buried interfaces in next generation CMOS devices」と題して招待講演を行った。

高 彦峰助手「財団法人村田学術振興財団 第22回(平成18年度)研究助成」に採択
 総合研究所 高 彦峰助手は「Zn0ナノロッド/ナノワイヤをテンプレートとしたZn0/Ti02コンポジット薄膜の水溶液からの作製及び太陽電池への応用」の研究で採択された。

マクシム・ミロノフ助手「文部科学研究費補助金」に採択
 総合研究所 マクシム・ミロノフ助手は「FinFETへの応用に向けた高移動度歪みゲルマニウム・ナノワイヤーの作製と評価」に関する研究で採択された。

奥井登志子研究員「文部科学研究費補助金」に採択
 総合研究所 奥井登志子研究員は「走査型トンネル顕微鏡によるSiGe系微細ヘテロ構造のポテンシャル解析」に関する研究で昨年に引き続き採択された。

星谷勝教授「第7回国際マイクロパイルワークショップ」にて功労賞受賞
 総合研究所 星谷勝教授は、2006年5月にドイツはシュローベンハウゼン市にて開催された、表記国際ワークショップにおいて、(Award for Outstanding Performance in the Organization of the 6th IWM in Tokyo, August 24-27,2004)を受賞した。

丸泉琢也教授「コンピューター・エレクトロニクスに関するIWCE-11国際ワークショップ」にて招待講演
 総合研究所 丸泉琢也 教授は、2006年5月にオーストリアはウィーンにて開催された、表記国際ワークショップ(IWCE-11 International Workshop on Computational Electronics)において、「First-Principles Approach to the Reliability Issues of MOS Gate Oxides」と題して招待講演を行った。

服部健雄客員教授「電子デバイスと回路に関するIEEE国際会議2005」にて招待講演
   総合研究所 服部健雄 客員教授(本学名誉教授)は、2005年12月に香港にて開催された、表記国際シンポジウム(2005 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits)において、「Nondestructive Depth Profiling of Gate Insulators by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy」と題して招待講演を行った。

星谷勝教授「国際構造安全性・信頼性会議、ICOSSAR05」にてキーノート講演
 総合研究所 星谷勝教授は、2005年9月にイタリアはローマ市にて開催された、表記国際会議(International Conference on Structural Safety and Reliability, ICOSSAR05)において、「Stochastic Cash Flow Method in Risk Management」と題して招待Keynote Lectureを行った。

白木所長「第4回シリコンエピタキシーとヘテロ構造国際会議」にて基調講演
   総合研究所白木靖寛所長は、2005年5月に兵庫県の淡路島で開催された表記国際会議(4 th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures)において、「シリコン分子線エピタキシーの30年とシリコンヘテロ構造の開花(Thirty Years of Silicon Molecular Beam Epitaxy and the Flourishing of Silicon Heterostructures)」と題して、基調講演を行った。

服部健雄客員教授「第207回シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、その他の絶縁膜に関する国際シンポジウム」にて招待講演
   総合研究所 服部健雄 客員教授(本学名誉教授)は、2005年5月にカナダはケベックにて開催された、表記国際シンポジウム(Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films, and other Emerging Dielectrics, 207th Meeting)において、「Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators」と題して招待講演を行った。

服部健雄客員教授「エレクトロニクス・フロンティア国際ワークショップ」にて招待講演
   総合研究所 服部健雄 客員教授(本学名誉教授)は、2004年12月にアルーバにて開催された、表記国際ワークショップ(Advanced Workshop on "Frontiers in Electronics")において、「Soft and Hard X-ray excited Photoelectron Spectroscopy Studies on Gate Insulators at SPring-8」と題して招待講演を行った。

白木所長「2004年度秋季材料学会(MRS)」にて招待講演
   総合研究所白木靖寛所長は、2004年11月にアメリカのボストンで開催された表記国際会議(2004 Fall Meeting of Materials Research Society)において、「高品質SiGeヘテロ構造の形成と新デバイスへの応用(Formation of High Quality SiGe Hetero-Structures and Their New Device Applications)」と題する招待講演を行った。

白木所長「2004年度ヨーロッパ材料学会(EMRS)」にて、招待講演
   総合研究所白木靖寛所長は、2004年6月にフランスのストラスブールで開催された表記国際会議(2004 Meeting of European Materials Research Society)において、「Formation of high quality SiGe hetero-structures」と題する招待講演を行った。

星谷勝教授「アジア・パシフィック構造安全性・信頼性シンポジウム」にてキーノート講演
 総合研究所 星谷 勝教授は、2004年5月に韓国はソウル市にて開催された、表記国際シンポジウム(Asia and Pacific Symposium on Structural Safety and Reliability, APSSRA04)において、「Application of Information Entropy in Risk Analysis of Engineering Systems」と題して招待Keynote Lectureを行った。