ニュース

2020年度

2020.12.11

【受賞】山田航大君(M2)が第49回(2020年秋季)応用物理学会講演奨励賞を受賞

2020年9月8-11日に開催されました第81回応用物理学会秋季学術講演会で、総合研究所ナノエレクトロニクス研究センター所属(電気・化学専攻 電気電子工学領域)M2山田航大君が応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

講演奨励賞は、春秋講演会に於いて、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対し授与されるもので、今講演会では、2434件の中から23名が選ばれました。

山田君の講演タイトルは「In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光」で、非常に高品質な歪みゲルマニウムLED(発光ダイオード)を開発し、室温において、世界最高水準の低閾値発光を得ることに成功しました。

山田君の指導教員は、総合研究所ナノエレクトロニクス研究センター長(総合研究所副所長) 澤野憲太郎教授。

 

受賞者  山田 航大(電気・化学専攻 電気電子工学領域M2)
講演タイトル 「In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光」
共著者  星 裕介,澤野 憲太郎

 

関連リンク

応用物理学会ホームページ第49回(2020年秋季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

総合研究所ナノエレクトロニクス研究センター

 

 

 

一覧へ戻る

ページトップへ戻る