ナノエレクトロニクス研究センター l 研究について l 東京都市大学総合研究所

●次世代の超高速・低消費電力・電子デバイス開発
●新材料による次世代メモリ開発
●光配線や暗号通信に向けた電子・光デバイス
●シリコンや新材料による次世代太陽光発電

今日のAIやIoT、情報通信技術（ICT）を根底で支えている半導体エレクトロニクスは、その性能向上限界と消費電力増大が世界的に喫緊の問題となっています。これを解決するために、クリーンルーム内の多数の半導体結晶成長、成膜装置、プロセス装置、評価装置を駆使し、新規高性能材料を用いた次世代の超低消費電力・光電子融合素子、新規メモリ、次世代太陽電池の開発を進めています。具体的には、５グループに分かれ、歪みSiGe薄膜やSiGe量子構造、新規強誘電体材料、原子層材料、ペロブスカイト等の材料開発、それらの新規デバイス応用を進めています。